Name: TK7R0E08QM,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK7R0E08QMS1X-ND
Price: 2.2936 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK7R0E08QM,S1X
DigiKey-Teilenr.	264-TK7R0E08QMS1X-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK7R0E08QM,S1X
Beschreibung	UMOS10 TO-220AB 80V 7MOHM
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 64 A (Tc) 87W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK7R0E08QM,S1X Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	64 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7mOhm bei 32A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2700 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	87W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3

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