N-Kanal 800 V 6,5 A (Ta) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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TK7E80W,S1X

DigiKey-Teilenr.
TK7E80WS1X-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TK7E80W,S1X
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 6,5 A (Ta) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
TK7E80W,S1X Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 280µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
13 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
700 pF @ 300 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
150°C
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
950mOhm bei 3,3A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 70
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 4,10000€ 4,10
50€ 2,10860€ 105,43
100€ 1,91620€ 191,62
500€ 1,57896€ 789,48
1 000€ 1,47068€ 1 470,68
2 000€ 1,37968€ 2 759,36
5 000€ 1,35240€ 6 762,00
Standardverpackung des Herstellers
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