Name: TK60S10N1L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK60S10N1LLXHQTR-ND
Price: 2.5498 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 100 V 60 A (Ta) 180W (Tc) Oberflächenmontage DPAK+

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TK60S10N1L,LXHQ
DigiKey-Teilenr.	264-TK60S10N1LLXHQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TK60S10N1LLXHQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TK60S10N1LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK60S10N1L,LXHQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 60 A (Ta) 180W (Tc) Oberflächenmontage DPAK+
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK60S10N1L,LXHQ Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 60 nC @ 10 V
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max.) ±20V
Serie U-MOSVIII-H	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4320 pF @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 180W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur 175°C
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 60 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten DPAK+
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6,11mOhm bei 30A, 10V	Basis-Produktnummer TK60S10
Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 500µA