Name: TK560A65Y,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK560A65YS4X-ND
Price: 2.745 EUR
Availability: OutOfStock

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TK560A65Y,S4X
DigiKey-Teilenr.	TK560A65YS4X-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK560A65Y,S4X
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 7 A (Tc) 30W Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK560A65Y,S4X Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSV
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	560mOhm bei 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 240µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	380 pF @ 300 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	30W
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220SIS
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	TK560A65

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