N-Kanal 120 V 60 A (Tc) 98W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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TK32E12N1,S1X

DigiKey-Teilenr.
TK32E12N1S1X-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TK32E12N1,S1X
Beschreibung
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 120 V 60 A (Tc) 98W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
TK32E12N1,S1X Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 500µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
34 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2000 pF @ 60 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
98W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
120 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
13,8mOhm bei 16A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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