TO-220-3
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TK100E10N1,S1X

DigiKey-Teilenr.
TK100E10N1S1X-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TK100E10N1,S1X
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 100 A (Ta) 255W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
TK100E10N1,S1X Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3,4mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
8800 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
255W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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Stange
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50€ 2,54900€ 127,45
100€ 2,32740€ 232,74
500€ 1,93952€ 969,76
1 000€ 1,92065€ 1 920,65
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