Name: TJ200F04M3L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ200F04M3LLXHQTR-ND
Price: 4.5994 EUR
Availability: InStock

P-Kanal 40 V 200 A (Ta) 375W (Tc) Oberflächenmontage TO-220SM(W)

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TJ200F04M3L,LXHQ
DigiKey-Teilenr.	264-TJ200F04M3LLXHQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TJ200F04M3LLXHQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TJ200F04M3LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TJ200F04M3L,LXHQ
Beschreibung	MOSFET P-CH 40V 200A TO220SM
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 40 V 200 A (Ta) 375W (Tc) Oberflächenmontage TO-220SM(W)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 460 nC @ 10 V
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max.) +10V, -20V
Serie U-MOSVI	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1280 pF @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur 175°C
FET-Typ P-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 200 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220SM(W)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,8mOhm bei 100A, 10V	Basis-Produktnummer TJ200F04
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 1mA