Name: SSM3J56ACT,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J56ACTL3FTR-ND
Price: 0.427 EUR
Availability: InStock

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SSM3J56ACT,L3F
cms-digikey-product-number	SSM3J56ACTL3FTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM3J56ACTL3FCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM3J56ACTL3FDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Toshiba Semiconductor and Storage
cms-manufacturer-product-number	SSM3J56ACT,L3F
cms-description	MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
cms-standard-lead-time	12 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description	P-Kanal 20 V 1,4 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage CST3
Datenblatt	Datenblatt
cms-eda-cad-models	SSM3J56ACT,L3F Modelle

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,4 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,2V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	390mOhm bei 800mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	100 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	500mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	CST3
Gehäuse / Hülle	SC-101, SOT-883
Basis-Produktnummer	SSM3J56

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Auf Lager: 26 885

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)