Name: RN2412TE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN2412TE85LFTR-ND
Price: 0.2806 EUR
Availability: InStock

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RN2412TE85LF
DigiKey-Teilenr.	RN2412TE85LFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RN2412TE85LFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RN2412TE85LFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	RN2412TE85LF
Beschreibung	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung PNP mit Vorspannung 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Oberflächenmontage S-Mini
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgespannte bipolare Transistoren	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 120 bei 1mA, 5V
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV bei 250µA, 5mA
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 100 nA (ICBO)
Status der Komponente Aktiv	Frequenz - Übergang 200 MHz
Transistor-Typ PNP mit Vorspannung	Leistung - Max. 200 mW
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100 mA	Montagetyp Oberflächenmontage
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50 V	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Widerstände enthalten Nur R1	Gehäusetyp vom Lieferanten S-Mini
Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms	Basis-Produktnummer RN2412

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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RN2412TE85LF