Name: RN1117MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-RN1117MFV,L3FTR-ND
Price: 0.1708 EUR
Availability: InStock

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RN1117MFV,L3F
DigiKey-Teilenr.	264-RN1117MFV,L3FTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-RN1117MFV,L3FCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-RN1117MFV,L3FDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	RN1117MFV,L3F
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung NPN mit Vorspannung 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Oberflächenmontage VESM
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RN1117MFV,L3F Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgespannte bipolare Transistoren	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 30 bei 10mA, 5V
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV bei 500µA, 5mA
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 500nA
Status der Komponente Aktiv	Frequenz - Übergang 250 MHz
Transistor-Typ NPN mit Vorspannung	Leistung - Max. 150 mW
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100 mA	Montagetyp Oberflächenmontage
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50 V	Gehäuse / Hülle SOT-723
Widerstände enthalten R1 und R2	Gehäusetyp vom Lieferanten VESM
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms	Basis-Produktnummer RN1117
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 4.7 kOhms

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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RN1117MFV,L3F