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HF-Transistor NPN 6V 100mA 10GHz 800mW Oberflächenmontage UFM
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

MT3S111TU,LF

DigiKey-Teilenr.
MT3S111TULFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
MT3S111TULFCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
MT3S111TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
MT3S111TU,LF
Beschreibung
RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
HF-Transistor NPN 6V 100mA 10GHz 800mW Oberflächenmontage UFM
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Leistung - Max.
800mW
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
200 bei 30mA, 5V
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Status der Komponente
Obsolet
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Transistor-Typ
NPN
Montagetyp
Oberflächenmontage
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
6V
Gehäuse / Hülle
3-SMD, flache Anschlüsse
Frequenz - Übergang
10GHz
Gehäusetyp vom Lieferanten
UFM
Rauschzahl (dB typ. bei f)
0,6dB bis 0,85dB bei 500MHz bis 1GHz
Basis-Produktnummer
Verstärkung
12,5dB
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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