N-Kanal 600 V 5,5 A (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung TO-251 (IPAK)
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STU9N60M2

DigiKey-Teilenr.
497-STU9N60M2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STU9N60M2
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 5,5 A (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung TO-251 (IPAK)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
780mOhm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
320 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-251 (IPAK)
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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