N-Kanal 800 V 3 A (Tc) 80W (Tc) Durchkontaktierung TO-251 (IPAK)
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STD4NK80Z-1

DigiKey-Teilenr.
497-STD4NK80Z-1-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STD4NK80Z-1
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
Standardlieferzeit des Herstellers
15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 3 A (Tc) 80W (Tc) Durchkontaktierung TO-251 (IPAK)
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
STD4NK80Z-1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
SuperMESH™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
3 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3,5Ohm bei 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 50µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
22.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
575 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
80W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-251 (IPAK)
Gehäuse / Hülle
TO-251-3 mit kurzen Pins, IPAK, TO-251AA
Basis-Produktnummer
STD4NK80
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