N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 140W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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STP65N150M9

DigiKey-Teilenr.
497-STP65N150M9-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STP65N150M9
Beschreibung
N-CHANNEL 650 V, 128 MOHM TYP.,
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 140W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
20 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
150mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1239 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
140W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
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