N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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STP18N65M2

DigiKey-Teilenr.
497-15557-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP18N65M2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP18N65M2 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
20 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
770 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
330mOhm bei 6A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 74
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 2,97000€ 2,97
50€ 1,48680€ 74,34
100€ 1,34280€ 134,28
500€ 1,09004€ 545,02
1 000€ 1,00882€ 1 008,82
2 000€ 0,94056€ 1 881,12
5 000€ 0,87272€ 4 363,60
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:€ 2,97000
Stückpreis mit MwSt.:€ 3,62340