Name: STP18N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-15557-5-ND
Price: 3.4282 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STP18N65M2
DigiKey-Teilenr.	497-15557-5-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STP18N65M2
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 110W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STP18N65M2 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ M2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	330mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	770 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	110W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	STP18

Fragen und Antworten zum Produkt

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50	€ 1,40200	€ 70,10
100	€ 1,26600	€ 126,60
500	€ 1,02774	€ 513,87
1 000	€ 0,95117	€ 951,17
2 000	€ 0,88682	€ 1 773,64
5 000	€ 0,88054	€ 4 402,70

Standardverpackung des Herstellers

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