Name: STL160N4F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STL160N4F7TR-ND
Price: 2.0496 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STL160N4F7
DigiKey-Teilenr.	497-STL160N4F7TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-STL160N4F7CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-STL160N4F7DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STL160N4F7
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 120 A (Tc) 111W (Tc) Oberflächenmontage PowerFlat™ (5x6)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STL160N4F7 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	STripFET™ F7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,5mOhm bei 16A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2300 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	111W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerFlat™ (5x6)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	STL160