Name: STB42N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB42N65M5TR-ND
Price: 12.7734 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

STB42N65M5
DigiKey-Teilenr.	497-STB42N65M5TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-STB42N65M5CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-STB42N65M5DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STB42N65M5
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 33 A (Tc) 190W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STB42N65M5 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ V
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	33 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	79mOhm bei 16,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4650 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	190W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	D2PAK
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	STB42