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Verfügbare Ersatzkomponenten:
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SCTW35N65G2V | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-SCTW35N65G2V-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SCTW35N65G2V |
Beschreibung | SICFET N-CH 650V 45A HIP247 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 45 A (Tc) 240W (Tc) Durchkontaktierung HiP247™ |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SCTW35N65G2V Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Nur verfügbar bis | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 18V, 20V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 67mOhm bei 20A, 20V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5V bei 1mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 73 nC @ 20 V | |
Vgs (Max.) | +22V, -10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1370 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 240W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 200°C (TJ) | |
Klasse | Automobiltechnik | |
Qualifizierung | AEC-Q101 | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | HiP247™ | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Letzte Kaufgelegenheit
Verfügbar bis: 15.02.2026
Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 600 | € 6,26722 | € 3 760,33 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 6,26722 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 7,64601 |
zur Verwendung mit
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