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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SCTW35N65G2V

DigiKey-Teilenr.
497-SCTW35N65G2V-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SCTW35N65G2V
Beschreibung
SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 45 A (Tc) 240W (Tc) Durchkontaktierung HiP247™
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SCTW35N65G2V Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
73 nC @ 20 V
Herst.
Vgs (Max.)
+22V, -10V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1370 pF @ 400 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
240W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 200°C (TJ)
Technologie
Klasse
Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Qualifizierung
AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Montagetyp
Durchkontaktierung
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V, 20V
Gehäusetyp vom Lieferanten
HiP247™
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
67mOhm bei 20A, 20V
Gehäuse / Hülle
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1mA
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (4)
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Obsolet
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