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SCTW35N65G2V | |
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DigiKey-Teilenr. | 497-SCTW35N65G2V-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SCTW35N65G2V |
Beschreibung | SICFET N-CH 650V 45A HIP247 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 45 A (Tc) 240W (Tc) Durchkontaktierung HiP247™ |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SCTW35N65G2V Modelle |
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 73 nC @ 20 V |
Herst. | Vgs (Max.) +22V, -10V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1370 pF @ 400 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 240W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 200°C (TJ) |
Technologie | Klasse Automobiltechnik |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Qualifizierung AEC-Q101 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Montagetyp Durchkontaktierung |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V, 20V | Gehäusetyp vom Lieferanten HiP247™ |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 67mOhm bei 20A, 20V | Gehäuse / Hülle |
Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 1mA | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| MSC060SMA070B | Microchip Technology | 347 | MSC060SMA070B-ND | € 4,74000 | Ähnlich |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | € 13,20000 | Ähnlich |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | € 10,42000 | Ähnlich |
| TSM60NE084PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 265 | 1801-TSM60NE084PWC0G-ND | € 9,19000 | Ähnlich |





