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SCTW100N65G2AG | |
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DigiKey-Teilenr. | 497-SCTW100N65G2AG-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SCTW100N65G2AG |
Beschreibung | SICFET N-CH 650V 100A HIP247 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 100 A (Tc) 420W (Tc) Durchkontaktierung HiP247™ |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SCTW100N65G2AG Modelle |
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 162 nC @ 18 V |
Herst. | Vgs (Max.) +22V, -10V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3315 pF @ 520 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 420W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 200°C (TJ) |
Technologie | Klasse Automobiltechnik |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Qualifizierung AEC-Q101 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Montagetyp Durchkontaktierung |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V | Gehäusetyp vom Lieferanten HiP247™ |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 26mOhm bei 50A, 18V | Gehäuse / Hülle |
Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 5mA | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| MSC015SMA070B | Microchip Technology | 101 | 691-MSC015SMA070B-ND | € 15,20000 | Ähnlich |
| SCT3022ALGC11 | Rohm Semiconductor | 1 240 | SCT3022ALGC11-ND | € 45,04000 | Ähnlich |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | € 13,20000 | Ähnlich |




