Name: SCT040W65G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT040W65G3-4AG-ND
Price: 13.8104 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SCT040W65G3-4AG
DigiKey-Teilenr.	497-SCT040W65G3-4AG-ND
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	SCT040W65G3-4AG
Beschreibung	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 240W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	*
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	63mOhm bei 20A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,2V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	37.5 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+18V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	860 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	240W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 200°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4
Basis-Produktnummer	SCT040

Fragen und Antworten zum Produkt

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30	€ 6,85667	€ 205,70
120	€ 5,87758	€ 705,31
510	€ 5,66155	€ 2 887,39

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