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Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 650 V 3 A 80 W Durchkontaktierung TO-220
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BUL1403ED

DigiKey-Teilenr.
BUL1403ED-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
BUL1403ED
Beschreibung
TRANS NPN 650V 3A TO-220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 650 V 3 A 80 W Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
BUL1403ED Modelle
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
650 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
2,5V bei 50mA, 500mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
15 bei 400mA, 3V
Leistung - Max.
80 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Basis-Produktnummer
BUL140
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