Name: S1M1000170K
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S1M1000170K-ND
Price: 5.1484 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1700 V 5,2 A (Tc) 81W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4

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S1M1000170K
DigiKey-Teilenr.	1655-S1M1000170K-ND
Hersteller	SMC Diode Solutions
Hersteller-Teilenummer	S1M1000170K
Beschreibung	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1700 V 5,2 A (Tc) 81W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 500µA
Herst. SMC Diode Solutions	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 10 nC @ 20 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +25V, -10V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 160 pF @ 1000 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 81W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1700 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,2 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 20V	Gehäuse / Hülle TO-247-4
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,3Ohm bei 2A, 20V

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10	€ 2,79400	€ 27,94
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