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GP3T020A120TS

DigiKey-Teilenr.
1560-GP3T020A120TS-ND
Hersteller
SemiQ
Hersteller-Teilenummer
GP3T020A120TS
Beschreibung
GEN3 1200V 20M SIC MOSFET TSPAK
Standardlieferzeit des Herstellers
6 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 89 A (Tc) 250W (Tc) Oberflächenmontage TSPAK
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
SemiQ
Serie
QSiC™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
89 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
25mOhm bei 40A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 20mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
233 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6078 pF @ 1000 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TSPAK
Gehäuse / Hülle
TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), Variante
Fragen und Antworten zum Produkt

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