SCT2450KEGC11
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SCT2450KEGC11
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

SCT4036KEC11

DigiKey-Teilenr.
846-SCT4036KEC11-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SCT4036KEC11
Beschreibung
1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 43 A (Tc) 176W Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
47mOhm bei 21A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,8V bei 11,1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
91 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+21V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2335 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
176W
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247N
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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