SCT2450KEC ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 503
Stückpreis : € 75,59000
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Parametrisches Äquivalent


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 427
Stückpreis : € 77,66000
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Vorrätig: 6
Stückpreis : € 62,05000
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Vorrätig: 820
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Vorrätig: 74
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Vorrätig: 85
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Vorrätig: 0
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Vorrätig: 367
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Vorrätig: 0
Stückpreis : € 168,54087

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IXYS
Vorrätig: 300
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Vorrätig: 0
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Vorrätig: 236
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IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 149,33363
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IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 285,67000
Datenblatt
R6020ENZ4C13
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
R6020ENZ4C13
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2450KEC

DigiKey-Teilenr.
SCT2450KEC-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SCT2450KEC
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 10A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 10 A (Tc) 85W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
585mOhm bei 3A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 900µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
27 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
463 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
85W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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Obsolet
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