Name: RS7N160BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS7N160BHTB1TR-ND
Price: 5.185 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RS7N160BHTB1
DigiKey-Teilenr.	846-RS7N160BHTB1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-RS7N160BHTB1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-RS7N160BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RS7N160BHTB1
Beschreibung	NCH 80V 160A, DFN5060-8S, POWER
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 160 A (Ta) 3W (Ta), 160W (Tc) Oberflächenmontage DFN5060-8S
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 73 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4470 pF @ 40 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 160W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 160 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten DFN5060-8S
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,6mOhm bei 50A, 10V