Name: RS3E180ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS3E180ATTB1TR-ND
Price: 3.8308 EUR
Availability: InStock

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RS3E180ATTB1
DigiKey-Teilenr.	RS3E180ATTB1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RS3E180ATTB1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) RS3E180ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RS3E180ATTB1
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 18 A (Ta) 1,4W (Ta) Oberflächenmontage 8-SOP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RS3E180ATTB1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 5mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 160 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7200 pF @ 15 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 1,4W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 18 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOP
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 5,4mOhm bei 18A, 10V	Basis-Produktnummer RS3E