Name: RS3E180ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS3E180ATTB1TR-ND
Price: 3.6356 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RS3E180ATTB1
DigiKey-Teilenr.	RS3E180ATTB1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RS3E180ATTB1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) RS3E180ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RS3E180ATTB1
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 18 A (Ta) 1,4W (Ta) Oberflächenmontage 8-SOP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RS3E180ATTB1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	18 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5,4mOhm bei 18A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7200 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,4W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOP
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis-Produktnummer	RS3E