Name: RS1G150MNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1G150MNTBTR-ND
Price: 1.5738 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RS1G150MNTB
DigiKey-Teilenr.	RS1G150MNTBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RS1G150MNTBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RS1G150MNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RS1G150MNTB
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 15A (Ta), 43A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSOP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RS1G150MNTB Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15A (Ta), 43A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	10,6mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	930 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-HSOP
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	RS1G