Name: RQ3E180BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E180BNTBTR-ND
Price: 1.2078 EUR
Availability: InStock

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RQ3E180BNTB
DigiKey-Teilenr.	RQ3E180BNTBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RQ3E180BNTBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RQ3E180BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RQ3E180BNTB
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 39 A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RQ3E180BNTB Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 1mA
Herst. Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 37 nC @ 4.5 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3500 pF @ 15 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 20W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 39 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-HSMT (3,2x3)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,9mOhm bei 18A, 10V	Basis-Produktnummer RQ3E180

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RQ3E180BNTB