N-Kanal 30 V 15 A (Ta), 39 A (Tc) 2W (Ta), 17W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
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N-Kanal 30 V 15 A (Ta), 39 A (Tc) 2W (Ta), 17W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
8 HSMT

RQ3E150GNTB

DigiKey-Teilenr.
RQ3E150GNTBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
RQ3E150GNTBCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
RQ3E150GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
RQ3E150GNTB
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 30 V 15 A (Ta), 39 A (Tc) 2W (Ta), 17W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3)
Datenblatt
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RQ3E150GNTB Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
15 A (Ta), 39 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
6,1mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
850 pF @ 15 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 17W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-HSMT (3,2x3)
Gehäuse / Hülle
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
RQ3E150
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Menge
Alle Preise in EUR
Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 0,82000€ 0,82
10€ 0,50600€ 5,06
100€ 0,32850€ 32,85
500€ 0,25190€ 125,95
1 000€ 0,22721€ 227,21
* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von € 5,50 erhoben.
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Menge Stückpreis Gesamtpreis
3 000€ 0,19582€ 587,46
6 000€ 0,18001€ 1 080,06
9 000€ 0,17195€ 1 547,55
15 000€ 0,16290€ 2 443,50
21 000€ 0,15754€ 3 308,34
30 000€ 0,15234€ 4 570,20
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:€ 0,82000
Stückpreis mit MwSt.:€ 1,00040
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