



RQ3E100BNTB | |
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DigiKey-Teilenr. | RQ3E100BNTBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RQ3E100BNTBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RQ3E100BNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | RQ3E100BNTB |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT |
Standardlieferzeit des Herstellers | 16 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 30 V 10 A (Ta) 2W (Ta) Oberflächenmontage 8-HSMT (3,2x3) |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | RQ3E100BNTB Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 4,5V, 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 10,4mOhm bei 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2,5V bei 1mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 22 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1100 pF @ 15 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 2W (Ta) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | 8-HSMT (3,2x3) | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 0,61000 | € 0,61 |
| 10 | € 0,37800 | € 3,78 |
| 100 | € 0,24240 | € 24,24 |
| 500 | € 0,18390 | € 91,95 |
| 1 000 | € 0,16501 | € 165,01 |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,14099 | € 422,97 |
| 6 000 | € 0,12889 | € 773,34 |
| 9 000 | € 0,12272 | € 1 104,48 |
| 15 000 | € 0,11579 | € 1 736,85 |
| 21 000 | € 0,11169 | € 2 345,49 |
| 30 000 | € 0,10770 | € 3 231,00 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 0,61000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 0,74420 |



