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N-Kanal 800 V 8 A (Ta) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
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R8008ANX

DigiKey-Teilenr.
R8008ANX-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
R8008ANX
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 8A TO220FM
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 8 A (Ta) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
R8008ANX Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
39 nC @ 10 V
Verpackung
Lose im Beutel
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1080 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,03Ohm bei 4A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (8)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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