Name: R6025JNZ4C13
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6025JNZ4C13-ND
Price: 10.3212 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

R6025JNZ4C13
DigiKey-Teilenr.	R6025JNZ4C13-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	R6025JNZ4C13
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 25A TO247G
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 25 A (Tc) 306W (Tc) Durchkontaktierung TO-247G
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	25 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	182 mOhm bei 12,5A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	7V bei 4,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	57 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1900 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	306W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247G
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	R6025

Fragen und Antworten zum Produkt

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30	€ 4,99867	€ 149,96
120	€ 4,23825	€ 508,59
510	€ 3,87002	€ 1 973,71

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