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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


IXYS
Vorrätig: 273
Stückpreis : € 5,97000
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Direkter Ersatz


IXYS
Vorrätig: 291
Stückpreis : € 5,78000
Datenblatt

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STMicroelectronics
Vorrätig: 1 990
Stückpreis : € 3,23000
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STMicroelectronics
Vorrätig: 304
Stückpreis : € 5,10000
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STMicroelectronics
Vorrätig: 838
Stückpreis : € 3,10000
Datenblatt

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STMicroelectronics
Vorrätig: 51
Stückpreis : € 4,58000
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STMicroelectronics
Vorrätig: 184
Stückpreis : € 3,51000
Datenblatt
N-Kanal 600 V 24 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 600 V 24 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6024ENX

DigiKey-Teilenr.
R6024ENX-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
R6024ENX
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 24 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
R6024ENX Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 1mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
70 nC @ 10 V
Verpackung
Lose im Beutel
Vgs (Max.)
±20V
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1650 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
165mOhm bei 11,3A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (7)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IXFP22N65X2MIXYS273IXFP22N65X2M-ND€ 5,97000Direkter Ersatz
IXTP24N65X2MIXYS291IXTP24N65X2M-ND€ 5,78000Direkter Ersatz
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