N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 252W (Tc) Durchkontaktierung TO-247G
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N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 252W (Tc) Durchkontaktierung TO-247G
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6020JNZ4C13

DigiKey-Teilenr.
R6020JNZ4C13-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
R6020JNZ4C13
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO247G
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 252W (Tc) Durchkontaktierung TO-247G
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
20 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
234 mOhm bei 10A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id
7V bei 3,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
45 nC @ 15 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1500 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
252W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247G
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
R6020
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