N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6020ENX

DigiKey-Teilenr.
R6020ENX-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
R6020ENX
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
20 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
196mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1400 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
R6020
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Standardverpackung des Herstellers
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