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TO-220-3
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R6015FNX

DigiKey-Teilenr.
846-R6015FNX-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
R6015FNX
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 15 A (Tc) 77W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt
 Datenblatt
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R6015FNX Modelle
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
15 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
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Vgs(th) (max.) bei Id
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Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1660 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
77W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
R6015
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