Name: HS8K1TB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HS8K1TBTR-ND
Price: 1.4152 EUR
Availability: InStock

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HS8K1TB
DigiKey-Teilenr.	HS8K1TBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) HS8K1TBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) HS8K1TBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	HS8K1TB
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 10A (Ta), 11A (Ta) 2W (Ta) Oberflächenmontage HSML3030L10
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 1mA
Hersteller Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 6nC bei 10V, 7,4nC bei 10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 348pF bei 15V, 429pF bei 15V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 2W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V	Gehäuse / Hülle 8-UDFN mit freiliegendem Pad
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10A (Ta), 11A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten HSML3030L10
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 14,6mOhm bei 10A, 10V, 11,8mOhm bei 11A, 10V	Basis-Produktnummer HS8K1

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)