
HS8K1TB | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | HS8K1TBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) HS8K1TBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) HS8K1TBDKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | HS8K1TB |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 16 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 30V 10A (Ta), 11A (Ta) 2W (Ta) Oberflächenmontage HSML3030L10 |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Hersteller | Rohm Semiconductor | |
Serie | - | |
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) | |
Konfiguration | 2 N-Kanal (zweifach) | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 10A (Ta), 11A (Ta) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 14,6mOhm bei 10A, 10V, 11,8mOhm bei 11A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2,5V bei 1mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 6nC bei 10V, 7,4nC bei 10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 348pF bei 15V, 429pF bei 15V | |
Leistung - Max. | 2W (Ta) | |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäuse / Hülle | 8-UDFN mit freiliegendem Pad | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | HSML3030L10 | |
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 1,09000 | € 1,09 |
| 10 | € 0,68700 | € 6,87 |
| 100 | € 0,45340 | € 45,34 |
| 500 | € 0,35294 | € 176,47 |
| 1 000 | € 0,32059 | € 320,59 |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,27952 | € 838,56 |
| 6 000 | € 0,25884 | € 1 553,04 |
| 9 000 | € 0,24831 | € 2 234,79 |
| 15 000 | € 0,24097 | € 3 614,55 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 1,09000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 1,32980 |

