Name: BST70B2P4K01-VC
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-BST70B2P4K01-VC-ND
Price: 102.297 EUR
Availability: OutOfStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BST70B2P4K01-VC
DigiKey-Teilenr.	846-BST70B2P4K01-VC-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	BST70B2P4K01-VC
Beschreibung	HSDIP20, 1200V, 70A, FULL-BRIDGE
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 70 A (Tc) 385W (Tc) Durchkontaktierung 20-HSDIP
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 4,8V bei 22,2mA
Hersteller Rohm Semiconductor	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 170nC bei 18V
Verpackung Box	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4500pF bei 800V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 385W (Tc)
Technologie Siliziumkarbid (SiC)	Betriebstemperatur -40°C bis 175°C
Konfiguration 4 N-Kanal (Vollbrücke)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1,2kV)	Gehäuse / Hülle 20-poliges PowerDIP-Modul (1,508", 38,30mm)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 70 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 20-HSDIP
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 25mOhm bei 70A, 18V