Name: BSM600C12P3G201
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM600C12P3G201-ND
Price: 1264.4568 EUR
Availability: OutOfStock

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BSM600C12P3G201
DigiKey-Teilenr.	BSM600C12P3G201-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	BSM600C12P3G201
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 600 A (Tc) 2460W (Tc) Chassisbefestigung Modul
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSM600C12P3G201 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	600 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 182mA
Vgs (Max.)	+22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	28000 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2460W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten	Modul
Gehäuse / Hülle	Modul
Basis-Produktnummer	BSM600

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