BSM300D12P2E001
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BSM300D12P2E001

Digi-Key-Teilenr.
BSM300D12P2E001-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
BSM300D12P2E001
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (Halbbrücke) 1200V (1,2kV) 300 A (Tc) 1875W Chassisbefestigung Modul
Kundenreferenz
Datenblatt  Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Auswählen
Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Gehäuse
Tablett
Product Status
Aktiv
FET-Typ
2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal
Siliziumkarbid (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
300 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
-
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 68mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
35000pF bei 10V
Leistung - Max.
1875W
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
Modul
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
RoHS-StatusRoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)1 (Unbegrenzt)
REACH-StatusVon REACH nicht betroffen
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
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Tablett
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