Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 100 V 2 A 120MHz 800 mW Oberflächenmontage SOT-223 (TO-261)
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NSS1C200MZ4T3G

DigiKey-Teilenr.
2156-NSS1C200MZ4T3G-488-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NSS1C200MZ4T3G
Beschreibung
TRANS PNP 100V 2A SOT223
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 100 V 2 A 120MHz 800 mW Oberflächenmontage SOT-223 (TO-261)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Herst.
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
120 bei 500mA, 2V
Verpackung
Lose im Beutel
Leistung - Max.
800 mW
Status der Komponente
Aktiv
Frequenz - Übergang
120MHz
Transistor-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Montagetyp
Oberflächenmontage
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
Gehäuse / Hülle
TO-261-4, TO-261AA
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
220mV bei 200mA, 2A
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-223 (TO-261)
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Nicht stornierbar / keine Rückgabe
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