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Renesas Electronics Corporation
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Datenblatt
N-Kanal 60 V 110 A (Tc) 160W (Tc) Durchkontaktierung TO-262
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IRFSL7540PBF

DigiKey-Teilenr.
IRFSL7540PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFSL7540PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 110A TO262
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 110 A (Tc) 160W (Tc) Durchkontaktierung TO-262
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5,1mOhm bei 65A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,7V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4555 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
160W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-262
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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