Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 800 mA 100MHz 330 mW Oberflächenmontage SOT-23
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 800 mA 100MHz 330 mW Oberflächenmontage SOT-23
SOT-23

BSS64E6327

DigiKey-Teilenr.
2156-BSS64E6327-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
BSS64E6327
Beschreibung
TRANS NPN 80V 0.8A SOT-23
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 800 mA 100MHz 330 mW Oberflächenmontage SOT-23
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
800 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
700mV bei 400µA, 4mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
20 bei 4mA, 1V
Leistung - Max.
330 mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23
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