Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 50 V 7 A 10MHz 40 W Durchkontaktierung TO-220AB
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2SD1061S

DigiKey-Teilenr.
2156-2SD1061S-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
2SD1061S
Beschreibung
TRANS NPN 50V 7A TO-220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 50 V 7 A 10MHz 40 W Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
onsemi
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
7 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
400mV bei 400mA, 4A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
140 bei 1A, 2V
Leistung - Max.
40 W
Frequenz - Übergang
10MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
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