Name: TP70H150G4LSGB-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP70H150G4LSGB-TR-ND
Price: 4.3066 EUR
Availability: InStock

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N-Kanal 700 V 14,2 A (Tc) 62,5W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (8x8)

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TP70H150G4LSGB-TR
DigiKey-Teilenr.	1707-TP70H150G4LSGB-TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1707-TP70H150G4LSGB-TRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1707-TP70H150G4LSGB-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TP70H150G4LSGB-TR
Beschreibung	700V, 150MOHM GAN FET IN 8X8 PQF
Standardlieferzeit des Herstellers	5 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 700 V 14,2 A (Tc) 62,5W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (8x8)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 10A, 6V
Herst. Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 500µA
Serie SuperGaN®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 5.5 nC @ 6 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 491 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 62,5W (Tc)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 14,2 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-PQFN (8x8)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V	Gehäuse / Hülle 8-VDFN mit freiliegendem Pad