Neues Produkt
TP65H035G4WSQA
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TP65H030G4PWS

DigiKey-Teilenr.
1707-TP65H030G4PWS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TP65H030G4PWS
Beschreibung
GANFET N-CH 650V 55.7A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 55,7A (Tc) 192W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
12V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
41mOhm bei 30A, 12V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,8V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
24.5 nC @ 12 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1500 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
192W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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Stange
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10€ 6,04700€ 60,47
240€ 4,11350€ 987,24
720€ 4,05939€ 2 922,76
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