NP90N06VLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation | Diskrete Halbleiterprodukte

NP90N06VLG-E1-AY ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NP90N06VLG-E1-AY
DigiKey-Teilenr.	NP90N06VLG-E1-AYTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	NP90N06VLG-E1-AY
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 90A TO252
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 90 A (Tc) 1,2W (Ta), 105W (Tc) Oberflächenmontage TO-252
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NP90N06VLG-E1-AY Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	90 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7,8mOhm bei 45A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	135 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6900 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,2W (Ta), 105W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63