Name: NP50P06SDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP50P06SDG-E1-AYTR-ND
Price: 3.3794 EUR
Availability: InStock

P-Kanal 60 V 50 A (Tc) 1,2W (Ta), 84W (Tc) Oberflächenmontage TO-252 (MP-3ZK)

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NP50P06SDG-E1-AY
DigiKey-Teilenr.	559-NP50P06SDG-E1-AYTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 559-NP50P06SDG-E1-AYCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 559-NP50P06SDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	NP50P06SDG-E1-AY
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 50 A (Tc) 1,2W (Ta), 84W (Tc) Oberflächenmontage TO-252 (MP-3ZK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NP50P06SDG-E1-AY Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 100 nC @ 10 V
Herst. Renesas Electronics Corporation	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5000 pF @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 1,2W (Ta), 84W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur 175°C (TJ)
FET-Typ P-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 50 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252 (MP-3ZK)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 16,5mOhm bei 25A, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA