Name: UG3SC120009K4S
Brand: onsemi
SKU: 5556-UG3SC120009K4S-ND
Price: 71.4676 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 120 A (Tc) 789W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4

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UG3SC120009K4S
DigiKey-Teilenr.	5556-UG3SC120009K4S-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	UG3SC120009K4S
Beschreibung	1200V/9MO,SICFET,DG,G3,TO247-4
Standardlieferzeit des Herstellers	31 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 120 A (Tc) 789W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,7V bei 320mA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 196 nC @ 15 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 8157 pF @ 800 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 789W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 120 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 12V	Gehäuse / Hülle TO-247-4
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11mOhm bei 100A, 12V

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