Name: UG3SC120009K4S
Brand: onsemi
SKU: 5556-UG3SC120009K4S-ND
Price: 67.8808 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

UG3SC120009K4S
DigiKey-Teilenr.	5556-UG3SC120009K4S-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	UG3SC120009K4S
Beschreibung	1200V/9MO,SICFET,DG,G3,TO247-4
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 120 A (Tc) 789W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	12V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11mOhm bei 100A, 12V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,7V bei 320mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	196 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8157 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	789W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Lager: 497

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 55,64000	€ 55,64
10	€ 42,69700	€ 426,97
100	€ 41,99740	€ 4 199,74

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.